HBM-Stack-Index
This index lists the 21 VRAM and HBM chip lines we supply from Shenzhen — HBM2 (2 lines), HBM2E (5 lines), HBM3 (4 lines), HBM3E (6 lines), GDDR7 (1 line), OTHER (3 lines) — refreshed from our own stock records on 2026-11-12. It is free to reuse with attribution. A machine-readable copy sits at /data/hbm-stacks.json.
Welche HBM-Generationen sind in diesem Index enthalten?
21 Produktlinien über 6 Generationen: HBM2 (2 Linien), HBM2E (5 Linien), HBM3 (4 Linien), HBM3E (6 Linien), GDDR7 (1 Linie), OTHER (3 Linien). HBM wird nach Generation, Stack-Höhe und Kapazität angeboten, da diese drei Merkmale entscheiden, ob ein Stack zu einem bestimmten Beschleuniger passt.
| Produktlinie | Generation | Stapel | Kapazität | Hersteller |
|---|---|---|---|---|
| GDDR7 16Gb (2GB) VRAM-Chips (Samsung K4VAF325ZC-SC28) | GDDR7 | 2.0 GB | Samsung | |
| HBM2 8GB 8-Hi, Samsung KHA884901X-MC12TIF | HBM2 | 8-Hi | 8.0 GB | Samsung |
| HBM2 8GB 8-Hi, Samsung KHA884901X-MC13TIF | HBM2 | 8-Hi | 8.0 GB | Samsung |
| HBM2e 8GB 4-Hi, SK hynix H5WR64ESM4W-N6L | HBM2E | 4-Hi | 8.0 GB | SK hynix |
| HBM2e 8GB 4-Hi, SK hynix H5WR64ESM4W-N8L | HBM2E | 4-Hi | 8.0 GB | SK hynix |
| HBM2e 8GB 8-Hi VRAM Chip (Samsung) | HBM2E | 8-Hi | 8.0 GB | Samsung |
| HBM2e 16GB 8-Hi-VRAM-Chip (SK hynix) | HBM2E | 8-Hi | 16.0 GB | SK hynix |
| HBM2e 16GB 8-Hi VRAM Chip (Samsung) | HBM2E | 8-Hi | 16.0 GB | Samsung |
| HBM3 16GB 8-Hi-VRAM-Chip (SK hynix) | HBM3 | 8-Hi | 16.0 GB | SK hynix |
| HBM3 16GB 8-Hi VRAM Chip (Samsung) | HBM3 | 8-Hi | 16.0 GB | Samsung |
| HBM3 24GB 12-Hi VRAM Chip (SK hynix) | HBM3 | 12-Hi | 24.0 GB | SK hynix |
| HBM3 24GB 12-Hi VRAM Chip (Samsung) | HBM3 | 12-Hi | 24.0 GB | Samsung |
| HBM3e 24GB 8-Hi VRAM Chip (SK hynix) | HBM3E | 8-Hi | 24.0 GB | SK hynix |
| HBM3e 24GB 8-Hi-VRAM-Chip (Micron) | HBM3E | 8-Hi | 24.0 GB | Micron |
| HBM3e 24GB 8-Hi VRAM Chip (Samsung) | HBM3E | 8-Hi | 24.0 GB | Samsung |
| HBM3e 36GB 12-Hi VRAM Chip (SK hynix) | HBM3E | 12-Hi | 36.0 GB | SK hynix |
| HBM3e 36GB 12-Hi-VRAM-Chip (Micron) | HBM3E | 12-Hi | 36.0 GB | Micron |
| HBM3e 36GB 12-Hi VRAM Chip (Samsung) | HBM3E | 12-Hi | 36.0 GB | Samsung |
| NVIDIA GB202-301-A1 GPU Die (RTX 5090-Klasse-Kern, ausgebaut) | OTHER | 0.0 GB | NVIDIA | |
| Samsung K4ZAF325BC-SC16 GDDR6 16Gb (2GB) VRAM-Chip — für NVIDIA RTX 30/20-Serie | OTHER | 2.0 GB | Samsung | |
| Micron MT61K512M32KPA-21:U (D8BZC) GDDR6X 16Gb (2GB) VRAM-Chip — für NVIDIA RTX 40/50-Serie | OTHER | 2.0 GB | Micron |
Was bedeutet jede Spalte?
Fünf Spalten: die Position, wie wir sie anbieten (Hersteller-Teilenummer, wo wir eine veröffentlichen, sonst unsere interne SKU), die Generation, die Stackhöhe in Dies, die Kapazität pro Stack und der Hersteller. Hersteller in diesem Index: Micron, NVIDIA, SK hynix, Samsung.
Wie sind Stackhöhe und Kapazität zu lesen?
Die Stackhöhe zählt die Dies in einem Stack, und die Kapazität ist die Gesamtmenge über diese Dies — ein Stack kann also bei gleicher Höhe die doppelte Kapazität eines anderen fassen. Hier vorhanden: 4-Hi, 8-Hi und 12-Hi. Fragen Sie stets sowohl die Höhe als auch die Kapazität an, denn dieselbe Generation wird in mehreren Kombinationen geliefert.
Wie sollten diese Daten zitiert werden?
Die Wiederverwendung ist kostenlos, auch kommerziell. Bitte als „MemoryB2B HBM stack index, 2026-11-12“ mit Link auf https://memoryb2b.com/data/hbm-stack-index/ nennen. Die JSON-Kopie trägt dieselbe Lizenz und Quellenfelder, sodass Leser zum ursprünglichen Datensatz zurückfinden.
Frau Aya