HBM 堆叠索引
This index lists the 21 VRAM and HBM chip lines we supply from Shenzhen — HBM2 (2 lines), HBM2E (5 lines), HBM3 (4 lines), HBM3E (6 lines), GDDR7 (1 line), OTHER (3 lines) — refreshed from our own stock records on 2026-11-11. It is free to reuse with attribution. A machine-readable copy sits at /data/hbm-stacks.json.
本索引包含哪些 HBM 代际？
6 个世代共 21 条：HBM2（2 条）、HBM2E（5 条）、HBM3（4 条）、HBM3E（6 条）、GDDR7（1 条）、OTHER（3 条）。HBM 按世代、堆叠层数和容量报价，因为这三项属性决定某个堆栈是否适配特定加速器。
| 产品线 | 代际 | 堆栈 | 容量 | 制造商 |
|---|---|---|---|---|
| GDDR7 16Gb（2GB）VRAM 芯片（Samsung K4VAF325ZC-SC28） | GDDR7 | 2.0 GB | Samsung | |
| HBM2 8GB 8-Hi，Samsung KHA884901X-MC12TIF | HBM2 | 8-Hi | 8.0 GB | Samsung |
| HBM2 8GB 8-Hi，Samsung KHA884901X-MC13TIF | HBM2 | 8-Hi | 8.0 GB | Samsung |
| HBM2e 8GB 4-Hi，SK hynix H5WR64ESM4W-N6L | HBM2E | 4-Hi | 8.0 GB | SK hynix |
| HBM2e 8GB 4-Hi，SK hynix H5WR64ESM4W-N8L | HBM2E | 4-Hi | 8.0 GB | SK hynix |
| HBM2e 8GB 8-Hi VRAM 芯片（Samsung） | HBM2E | 8-Hi | 8.0 GB | Samsung |
| HBM2e 16GB 8-Hi VRAM 芯片（SK hynix） | HBM2E | 8-Hi | 16.0 GB | SK hynix |
| HBM2e 16GB 8-Hi VRAM芯片 (三星) | HBM2E | 8-Hi | 16.0 GB | Samsung |
| HBM3 16GB 8-Hi VRAM芯片（SK hynix） | HBM3 | 8-Hi | 16.0 GB | SK hynix |
| HBM3 16GB 8-Hi VRAM 芯片（Samsung） | HBM3 | 8-Hi | 16.0 GB | Samsung |
| HBM3 24GB 12-Hi VRAM芯片（SK hynix） | HBM3 | 12-Hi | 24.0 GB | SK hynix |
| HBM3 24GB 12-Hi VRAM 芯片（Samsung） | HBM3 | 12-Hi | 24.0 GB | Samsung |
| HBM3e 24GB 8-Hi VRAM芯片（SK hynix） | HBM3E | 8-Hi | 24.0 GB | SK hynix |
| HBM3e 24GB 8-Hi VRAM芯片 (美光) | HBM3E | 8-Hi | 24.0 GB | Micron |
| HBM3e 24GB 8-Hi VRAM 芯片（Samsung） | HBM3E | 8-Hi | 24.0 GB | Samsung |
| HBM3e 36GB 12-Hi VRAM芯片（SK hynix） | HBM3E | 12-Hi | 36.0 GB | SK hynix |
| HBM3e 36GB 12 Hi VRAM芯片 (美光) | HBM3E | 12-Hi | 36.0 GB | Micron |
| HBM3e 36GB 12-Hi VRAM 芯片（Samsung） | HBM3E | 12-Hi | 36.0 GB | Samsung |
| NVIDIA GB202-301-A1 GPU 芯片（RTX 5090 级核心，拆机件） | OTHER | 0.0 GB | NVIDIA | |
| Samsung K4ZAF325BC-SC16 GDDR6 16Gb（2GB）VRAM 颗粒——适用于 NVIDIA RTX 30/20 系列 | OTHER | 2.0 GB | Samsung | |
| Micron MT61K512M32KPA-21:U (D8BZC) GDDR6X 16Gb (2GB) VRAM 芯片 — 用于 NVIDIA RTX 40/50 系列 | OTHER | 2.0 GB | Micron |
各列分别代表什么？
五列：我们的报价行（有对外公布的厂商料号时用厂商料号，否则用我们的内部 SKU）、代际、堆叠层数（以 die 计）、每堆栈容量、厂商。本索引中的厂商：Micron、NVIDIA、SK hynix、Samsung。
如何解读堆叠高度和容量？
堆叠高度计算单个堆叠中的裸片数量，容量是这些裸片的总和——因此同一高度下，一个堆叠的容量可以是另一个的两倍。此处提供：4-Hi、8-Hi 和 12-Hi。询价时请同时报出高度和容量，因为同一代产品会以多种组合出货。
此数据应如何引用？
可免费转载，商业用途同样适用。请标注为「MemoryB2B HBM stack index, 2026-11-11」并链接到 https://memoryb2b.com/data/hbm-stack-index/。JSON 副本带同样的许可与来源字段，读者可据此回溯到原始记录。
Aya女士